中微公司在等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域再次實(shí)現(xiàn)重大突破
摘要:近日,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中微公司”)宣布通過(guò)不斷提升反應(yīng)臺(tái)之間氣體控制的精度,ICP雙反應(yīng)臺(tái)刻蝕機(jī)Primo Twin-Star® 又取得新的突破,反應(yīng)臺(tái)之間的刻蝕精度已達(dá)到0.2A(亞埃級(jí))。
閱讀:5412025年03月27日 14:19:29